Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 21 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG155N60EF-GE3
- RS品番:
- 279-9911
- メーカー型番:
- SIHG155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 本(1本25個入り) 小計：*
￥18,924.00
(税抜)
￥20,816.50
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 450 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 1チューブあたりの価格* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | ￥756.96 | ￥18,924 |
| 100 + | ￥680.64 | ￥17,016 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 279-9911
- メーカー型番:
- SIHG155N60EF-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 21A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 600V | |
| シリーズ | SIHG | |
| パッケージ型式 | TO-247AC | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.159Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 38nC | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 最大許容損失Pd | 179W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 長さ | 15.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 21A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 600V | ||
シリーズ SIHG | ||
パッケージ型式 TO-247AC | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.159Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 38nC | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
最大許容損失Pd 179W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
長さ 15.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay SIHGシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧600 V、最大連続ドレイン電流21 A - SIHG155N60EF-GE3
このNチャンネルMOSFETは、産業用および電子システムの電力変換および制御作業向けに設計された高電圧スイッチングトランジスタです。堅牢なアバランシェと熱処理が必要な電源アセンブリのスルーホール取り付け用です。このデバイスは、幅広い温度範囲で動作し、大きな電力スループットとゲートドライブの柔軟性を必要とする用途に適しています。
特長：
• 600 Vのドレイン定格により、高電圧スイッチング用途を実現 • 21 Aの連続ドレイン電流により、持続負荷動作をサポート • 0.159 Ω Rds(on)により、オン状態での導通損失を低減 • 179 Wの消費電力により、高い熱負荷容量を実現 • 38 nCゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現 • 30 Vのゲート許容差により、ゲート回路の汎用性の高いドライブマージンを実現
用途
• 電源の高電圧DC-DCコンバータに最適 • 産業用モーター駆動スイッチングステージに最適 • オートメーション機器のスイッチモード電源に使用 • スルーホールコンポーネントを必要とするバルブ又はソレノイドドライブ回路に使用可能 • ラボやテストリグでディスクリートパワーステージと併用
熱管理にはどのような取り付け要件が必要ですか?
パッケージ取り付け面に適切な定格のヒートシンクを取り付け、エアフロー又はサーマルインターフェイス材料を確保して、ジャンクション温度を安全な範囲内に維持します。
このデバイスは、高い周囲温度でどのように動作しますか?
幅広い温度範囲で動作するように設定されており、ジャンクション温度が最大定格限界に近づくにつれて、許容電流と電力損失のディレーティングが必要になります。
高速スイッチングに適したゲートドライブ配置は?
指定されたゲート充電トランジシング時間を達成するために、30 Vのゲートソース制限を遵守しながら、電流を供給 / シンクできるゲートドライバを推奨します。
高周波でのスイッチング損失について考慮する必要がありますか?
スイッチング損失は、周波数とゲート充電によるトランジションエネルギーによってスケールされるため、トランジション時間を最小限に抑え、高いスイッチング速度で動作するときの熱放散を管理します。
関連ページ
- Vishay MOSFET 21 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247AC, SIHG155N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 61 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SIHG039N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 19 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SIHG22N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 29 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SIHG105N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 33 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SiHG33N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 70 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SiHG70N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 48 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SIHG052N60EF-GE3
- Vishay MOSFET 8.4 A エンハンスメント型 3-Pin パッケージTO-247, SiHG186N60EF-GE3