Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 100 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR638ADP-T1-UE3

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梱包形態
RS品番:
279-9958
メーカー型番:
SIR638ADP-T1-UE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

100A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SiR

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00088Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

104W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

165nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5.15mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

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