Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 440 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIRS4400DP-T1-RE3

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梱包形態
RS品番:
279-9965
メーカー型番:
SIRS4400DP-T1-RE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

440A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SIRS

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.00069Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

295nC

最大許容損失Pd

240W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

5mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

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