Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 34.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8, SISH107DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
279-9984
メーカー型番:
SISH107DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

34.4A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

1212-8

シリーズ

SISH

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.014Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

26.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

41nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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