Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 34.4 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8, SISH107DN-T1-GE3
- RS品番:
- 279-9984
- メーカー型番:
- SISH107DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示1 袋(1袋10個入り) 小計：*
￥1,041.00
(税抜)
￥1,145.10
(税込)
3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 5,990 は 2026年6月01日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | ￥104.10 | ￥1,041 |
| 50 - 90 | ￥90.40 | ￥904 |
| 100 - 240 | ￥77.80 | ￥778 |
| 250 - 990 | ￥65.10 | ￥651 |
| 1000 + | ￥51.40 | ￥514 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 279-9984
- メーカー型番:
- SISH107DN-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 34.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | 1212-8 | |
| シリーズ | SISH | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.014Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 26.5W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 41nC | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.3mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 34.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 1212-8 | ||
シリーズ SISH | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.014Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 26.5W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.3mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。
TrenchFETパワーMOSFET
100 % Rg及びUISテスト済み
完全鉛(鉛)フリーデバイス
関連ページ
- Vishay MOSFET 34.4 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージ1212-8, SISH107DN-T1-GE3
- Vishay MOSFET 54 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージ1212-8, SISH103DN-T1-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSH101DN-T1-GE3
- Vishay MOSFET タイプNチャンネル 表面 8-Pin, SiSH536DN-T1-GE3 パッケージPowerPAK 1212-8SH
- 2 Vishay MOSFET 34 A 8-Pin エンハンスメント型, SIS9446DN-T1-GE3 パッケージ1212-8
- Vishay MOSFET -104 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212-8SH, SISH521EDN-T1-GE3
- Vishay MOSFET 20 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212, SiSH892BDN-T1-GE3
- Vishay MOSFET 35 A エンハンスメント型 8-Pin パッケージPowerPAK 1212