Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 30 V, 54 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8, SISH103DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
279-9981
メーカー型番:
SISH103DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

54A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

SISH

パッケージ型式

1212-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0089Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

41.6W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

72nC

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはPチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

100 % Rg及びUISテスト済み

完全鉛(鉛)フリーデバイス

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