Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 55.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S, SISS5110DN-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
279-9994
メーカー型番:
SISS5110DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

55.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SISS

パッケージ型式

1212-8S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0126Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

56.8W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

動作温度 Max

150°C

長さ

3.3mm

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

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