Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 55.9 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージ1212-8S

MOSFET・モスフェット の一覧へ

1 リール(1リール3000個入り) 小計：*

￥282,150.00

(税抜)

￥310,380.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 6,000 は 2025年12月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
3000 +￥94.05￥282,150

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
279-9993
メーカー型番:
SISS5110DN-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

55.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

SISS

パッケージ型式

1212-8S

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0126Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

56.8W

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.3mm

自動車規格

なし

Vishay MOSFETはNチャンネルMOSFETで、トランジスタはシリコンと呼ばれる素材で構成されています。

TrenchFETパワーMOSFET

完全鉛(鉛)フリーデバイス

非常に低いRDS x Qgのメリット数値

100 % Rg及びUISテスト済み

関連ページ