Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 8 A, 850 mΩ, 63 nC, 3ピン, パッケージ:JEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
281-6028
Distrelec 品番:
304-42-105
メーカー型番:
IRF840PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF840

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

850mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

2V

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay IRF840シリーズパワーMOSFET、500Vドレインソース電圧、125W消費電力 - IRF840PBF


このパワーMOSFETは、パワーエレクトロニクスのスイッチングおよび増幅用途向けの高電圧半導体デバイスです。幅広い温度範囲で動作し、ヒートシンクに適したスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。このコンポーネントはRoHS準拠で、高電圧回路でのドレインソース伝導を制御するためのNチャンネル強化トポロジーを採用しています。

特長:


• ドレイン-ソース間定格電圧 500V により、高電圧用途に対応
• 8Aの連続ドレイン電流により、持続負荷をサポート
• 125Wの消費電力により、高い熱処理を実現
• 850 mΩ Rds(on)により、伝導損失と制御のシンプルさをバランス
• 63nCの総ゲート電荷により、予測可能なスイッチング制御を実現
• 最大ゲート-ソース電圧20Vにより、堅牢なゲート駆動を実現

用途


• スイッチング電源出力段に最適
• 高電圧モーター駆動回路に使用
• 産業用インバータスイッチングエレメントに最適
• DC-DCコンバータハイサイドトランジスタに使用可能
• ラボ電源テストリグおよびプロトタイプボードに使用

動作中にどのような周囲温度に耐えられますか?


-55°C~150°Cで動作するように設計されており、過酷な熱環境での使用が可能です。

最適な熱性能を発揮するためには、どのように取り付ける必要がありますか?


TO-220ABスルーホール型は、タブと固定具を使用してヒートシンクに取り付けるように設計されており、熱伝導を最大化します。

設計者はどのようなゲートドライブ制限を遵守する必要がありますか?


ゲートソース電圧は 20V を超えてはならない

一般的なゲートドライブ回路は、63nCのゲート電荷を管理するために制御されたトランジションを提供する必要があります。

車両での使用には自動車グレードの保証がありますか?


自動車用標準デバイスとしては指定されていないため、設計者は車両用途の前に適合性を評価する必要があります。

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