Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 8 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB, IRF840PBF
- RS品番:
- 281-6028
- Distrelec 品番:
- 304-42-105
- メーカー型番:
- IRF840PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 281-6028
- Distrelec 品番:
- 304-42-105
- メーカー型番:
- IRF840PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 8A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 500V | |
| シリーズ | IRF840 | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 850mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 8A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 500V | ||
シリーズ IRF840 | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 850mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
Vishay IRF840シリーズパワーMOSFET、500 Vドレインソース電圧、8 A連続ドレイン電流 - IRF840PBF
このパワーMOSFETは、産業用および電子システムのスイッチングおよび電力処理用に設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。幅広い周囲範囲で動作し、制御アセンブリで簡単に取り付け、ヒートシンクできるスルーホールTO-220パッケージで提供されます。
特長：
• 500 Vのドレイン電圧により、高電圧スイッチング用途をサポート
• 8 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷駆動を実現
• 125 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 850 mΩ RDS(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 63 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大20 Vのゲートソース定格により、ゲートをオーバードライブから保護
• 8 Aの連続ドレイン電流により、大幅な負荷駆動を実現
• 125 Wの消費電力により、持続的な熱負荷を実現
• 850 mΩ RDS(on)により、負荷下での導通損失を低減
• 63 nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング動作を実現
• 最大20 Vのゲートソース定格により、ゲートをオーバードライブから保護
用途
• 高電圧スイッチング電源に最適
• 産業用モータ制御ステージに最適
• 配電モジュールの負荷スイッチングに使用
• ラボの高電圧テストリグに使用可能
• ディスクリートアンプおよびコンバータ回路に最適
• 産業用モータ制御ステージに最適
• 配電モジュールの負荷スイッチングに使用
• ラボの高電圧テストリグに使用可能
• ディスクリートアンプおよびコンバータ回路に最適
動作中にどのような周囲温度範囲に耐えられますか?
-55 °C～150 °Cで動作するため、過酷な熱環境や高いジャンクションシナリオでの使用が可能です。
システム内でどのように取り付けて冷却しますか?
TO-220ABスルーホールパッケージで提供され、効率的な熱管理のためのボルト付きヒートシンクアタッチメントを実現します。
設計者はどのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
最大ゲートソース定格を超えないように、デバイスの完全性を維持するために、ゲートドライブは±20 V以内に保持する必要があります。
スイッチング性能は、ゲート充電とどのように関連していますか?
標準的な63 nCのゲート充電により、設計者は指定されたドライブ電圧のドライバ電流とスイッチングトランジション時間を計算できます。
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