Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 400 V, 10 A, 550 mΩ, 63 nC, 3ピン, パッケージ：JEDEC TO-220AB
- RS品番:
- 178-0812
- メーカー型番:
- IRF740PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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| 500 - 1200 | ￥227.60 | ￥11,380 |
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- RS品番:
- 178-0812
- メーカー型番:
- IRF740PBF
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 400V | |
| パッケージ型式 | JEDEC TO-220AB | |
| シリーズ | IRF740 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 550mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大許容損失Pd | 125W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -20V, +20V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 10.41mm | |
| 高さ | 9.01mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 幅 | 4.7mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 10A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 400V | ||
パッケージ型式 JEDEC TO-220AB | ||
シリーズ IRF740 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 550mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大許容損失Pd 125W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 63nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 10.41mm | ||
高さ 9.01mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
幅 4.7mm | ||
自動車規格 なし | ||
Vishay IRF740シリーズパワーMOSFET、最大ドレインソース電圧400V、最大消費電力125W - IRF740PBF
このパワーMOSFETは、パワーエレクトロニクスのスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧Nチャンネルトランジスタです。広い温度範囲で動作し、従来の基板実装およびヒートシンク用のスルーホールTO-220ABパッケージで提供されます。このデバイスは、高ドレインソース電圧環境に対応し、堅牢なスイッチング機能と管理可能なゲートドライブ要件が必要な場合に適しています。
特長：
• 400Vのドレイン・ソース定格により、高電圧スイッチング機能を実現
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 125 Wの消費電力により、持続的な熱処理を実現
• 550 mΩ Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 63 nCの標準ゲート電荷により、スイッチング駆動エネルギーを低減
• 最大20Vのゲートソースにより、一般的なゲートドライブ電圧を実現
• 10 Aの連続ドレイン電流により、大きな負荷電流に対応
• 125 Wの消費電力により、持続的な熱処理を実現
• 550 mΩ Rds(on)により、予測可能な伝導損失を実現
• 63 nCの標準ゲート電荷により、スイッチング駆動エネルギーを低減
• 最大20Vのゲートソースにより、一般的なゲートドライブ電圧を実現
用途
• スイッチモード電源出力段に最適
• 高電圧DC‐DCコンバータスイッチングに最適
• 高Vdsを必要とする産業用モータードライブに使用
• パワーエレクトロニクスのインバータ回路に使用可能
• 汎用高電圧スイッチングに最適
• 高電圧DC‐DCコンバータスイッチングに最適
• 高Vdsを必要とする産業用モータードライブに使用
• パワーエレクトロニクスのインバータ回路に使用可能
• 汎用高電圧スイッチングに最適
過酷な環境では、どのような温度範囲に耐えられますか?
このデバイスの定格動作温度は-55°C～150°Cで、幅広い熱条件で使用できます。
このデバイスは、一般的な設計でどのように取り付けられ、冷却されますか?
熱管理およびシャーシ取り付け用の標準ヒートシンクおよびねじに対応するTO-220ABスルーホールパッケージを採用しています。
設計者はどのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?
損傷を防止し、正しいエンハンスメントモード動作を維持するために、ゲートはソースに対して最大±20V以内に保持する必要があります。
どのようなチャンネル特性がスイッチング極性に影響しますか?
Nチャンネルエンハンスメントモードデバイスであるため、導通には正のゲートソース電圧が必要です。
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