Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 200 V, 18 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220

ボリュームディスカウント対象商品

1 本(1本50個入り) 小計:*

¥5,000.00

(税抜)

¥5,500.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 250 は海外在庫あり
  • 8,400 2026年1月06日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
1チューブあたりの価格*
50 - 200¥100.00¥5,000
250 - 450¥98.12¥4,906
500 - 1200¥92.48¥4,624
1250 - 2450¥90.56¥4,528
2500 +¥87.74¥4,387

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

RS品番:
919-4817
メーカー型番:
IRF640NPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

18A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

200V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

TO-220

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

150mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

1.3V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

67nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

150W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

175°C

規格 / 承認

No

長さ

10.67mm

高さ

8.77mm

4.69 mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
MX

インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流18A、最大消費電力150W - IRF640NPBF


このMOSFETは高効率スイッチング・アプリケーション向けで、さまざまな電子システムに信頼性の高いソリューションを提供します。そのNチャンネル構成は、最小のオン抵抗と高い信頼性を保証し、産業および商業環境の電源管理に適しています。このコンポーネントは、オートメーションおよび電気部門のユーザー向けに特別に設計されており、アプリケーションでの最適なパフォーマンスを保証します。

特徴と利点


• 最大18Aの連続ドレイン電流で強力なパワーハンドリングを実現

• 200Vまでの電圧レベルで効果的に動作し、汎用性を向上

• 低オン抵抗で動作中のエネルギー損失を最小化

• 簡素化された駆動要件により、回路への組み込みが容易

• 安全性と性能を向上させる完全なアバランチ規格

用途


• 産業オートメーション用電源回路に使用

• モーター制御に最適 ロボット工学

• ソーラーインバータなどの再生可能エネルギーシステムに最適

• 電気機器のパワー・スイッチング・システムに採用

• オーディオ機器の増幅段に使用

温度はパフォーマンスにどう影響するのか?


デバイスは-55℃から+175℃の範囲で効率的に機能し、性能を損なうことなくさまざまな温度環境で使用できる。

最大ゲート・ソース間電圧の意味は?


MOSFETは±20Vのゲート・ソース間電圧レベルをサポートし、安全な動作を保証し、スイッチング動作中の損傷を防ぎます。

この部品は突然の電圧スパイクに対応できますか?


そう、完全なアバランシェ定格であるため、短時間の電圧スパイクに耐えることができ、困難なアプリケーションでの性能が向上する。

耐性が全体的な効率に与える影響は?


低オン抵抗は動作中の電力損失を大幅に削減し、パワー・マネージメント・アプリケーションのエネルギー効率を向上させます。

表面実装に適していますか?


TO-220ABパッケージは、特にスルーホール実装用に設計されており、表面実装よりも効果的な放熱を保証します。

関連ページ