Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 23 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220
- RS品番:
- 919-4886
- メーカー型番:
- IRF9540NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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|---|---|---|
| 50 - 200 | ￥116.82 | ￥5,841 |
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| 500 - 1200 | ￥107.82 | ￥5,391 |
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- RS品番:
- 919-4886
- メーカー型番:
- IRF9540NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 23A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| シリーズ | HEXFET | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 117mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | -1.6V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 97nC | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 最大許容損失Pd | 140W | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 23A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
シリーズ HEXFET | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 117mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf -1.6V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 97nC | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
最大許容損失Pd 140W | ||
動作温度 Max 175°C | ||
長さ 10.54mm | ||
規格 / 承認 No | ||
高さ 8.77mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオンHEXFETシリーズ MOSFET、最大連続ドレイン電流23A、最大許容損失140W - IRF9540NPBF
このPチャンネルMOSFETは、エレクトロニクスおよびオートメーション分野の高性能アプリケーション向けです。最大連続ドレイン電流23A、ドレイン・ソース間電圧100Vに対応し、回路効率を高めている。エンハンスメント・モード構成により、正確な出力制御が可能で、電気・機械用途を含む様々な産業に適しています。
特徴と利点
• 最大23Aの連続ドレイン電流に対応し、堅牢な性能を実現
• 最大ドレイン・ソース間電圧100Vで安定した動作を実現
• 最大ドレイン・ソース間抵抗が117mΩと低く、エネルギー効率を最適化
• インテンシブ・アプリケーション向けに最大140Wの電力消費に対応
• 10Vで97nCの典型的なゲート電荷が高速スイッチングをサポート
用途
• 効率的なエネルギー変換のためのパワーマネージメント回路に採用
• 正確な速度制御のためのモーター制御システムに使用
• 電源回路に組み込んで動作信頼性を向上
• 効果的な制御機能のために、様々なオートメーションシステムで利用されている
最適なパフォーマンスを発揮するための温度範囲は？
動作温度範囲は-55℃から+175℃までで、さまざまな環境条件下で効果的に使用できる。
ゲートしきい値電圧は動作にどのような影響を与えますか？
ゲートのしきい値電圧は2Vから4Vの間で変化し、制御信号に対する確実な起動とスムーズな動作を保証する。
設置にはどのようなマウントが必要ですか？
このMOSFETはスルーホール実装用に設計されており、さまざまな電子アセンブリへの組み込みが容易です。
このMOSFETは高周波用途に使用できますか？
低ゲート・チャージと高速スイッチング能力により、高周波スイッチング・アプリケーションに適しています。
ドレイン・ソース間抵抗が低いことの意味は？
ドレイン・ソース間抵抗が117mΩと低いため、動作中のエネルギー損失を最小限に抑え、全体的な電力効率が向上する。