Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 42 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージTO-220, IRF1310NPBF
- RS品番:
- 541-1506
- メーカー型番:
- IRF1310NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
ボリュームディスカウント対象商品
1個小計：*
￥344.00
(税抜)
￥378.40
(税込)
￥3,000円を超える注文については、送料無料
在庫あり
- 47 は海外在庫あり
- 265 は 2026年1月05日 に入荷予定
- 20 は 2026年1月07日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥344 |
| 2 - 19 | ￥310 |
| 20 - 29 | ￥275 |
| 30 - 39 | ￥244 |
| 40 + | ￥210 |
* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。
- RS品番:
- 541-1506
- メーカー型番:
- IRF1310NPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 42A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | TO-220 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | スルーホール | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 36mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 1.3V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 110nC | |
| 最大許容損失Pd | 160W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 動作温度 Max | 175°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.54mm | |
| 高さ | 8.77mm | |
| 幅 | 4.69 mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
最大連続ドレイン電流Id 42A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 TO-220 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ スルーホール | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 36mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 1.3V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 110nC | ||
最大許容損失Pd 160W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Min -55°C | ||
動作温度 Max 175°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.54mm | ||
高さ 8.77mm | ||
幅 4.69 mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルパワーMOSFET 100 V、Infineon
InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたNチャンネルデバイスが含まれています。 さらに、ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタが含まれています。 レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。
MOSFETトランジスタ、Infineon
Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。