Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 500 V, 2.5 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージJEDEC TO-220AB

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梱包形態
RS品番:
543-0002
Distrelec 品番:
301-91-570
メーカー型番:
IRF820PBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

2.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

JEDEC TO-220AB

シリーズ

IRF820

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

50W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

24nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

高さ

9.01mm

長さ

10.41mm

規格 / 承認

RoHS

4.7mm

自動車規格

なし

Vishay IRF820シリーズパワーMOSFET、500 Vドレインソース電圧、2.5 A連続ドレイン電流 - IRF820PBF


このパワーMOSFETは、産業用電子機器のスイッチングおよび増幅作業向けに設計された高電圧Nチャンネル強化デバイスです。高ドレインソース電圧と中程度の連続電流を必要とする用途に適しており、幅広い温度範囲で動作し、標準的なスルーホールパッケージに取り付けられているため、基板の組み立てが簡単です。

特長:


• 500 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 2.5 Aの連続電流により、適度な負荷処理をサポート
• 50 Wの消費電力により、持続的な熱性能を実現
• 3 Ωオン抵抗により、導通に関連する損失を低減
• 24 nCの標準ゲート充電により、予測可能なドライブ要件を実現
• Vgs ±20 V許容差により、過電圧イベントからゲートを保護

用途


• 産業用電源のSMPS一次側スイッチングに最適
• 高電圧トランジスタを必要とするリニアアンプステージに最適
• 中程度の電流のモータードライブインターフェイス回路に使用
• 高電圧テストリグやラボ電源に使用可能
• 制御パネルのレトロフィットスルーホール設計に最適

このデバイスには、どのような取り付け方法が必要ですか?


TO-220ABパッケージでスルーホールアセンブリ用に提供され、従来のはんだ付けおよびヒートシンクオプションを可能にします。

動作中にどのような熱範囲に耐えられますか?


-55 °C~150 °Cで動作できるため、過酷な環境や高いジャンクションシナリオでの使用が可能です。

ゲートドライブはスイッチング動作にどのような影響を与えますか?


定格ゲート電圧で24 nCの標準ゲート電荷は、必要なドライバ電流とスイッチング速度のトレードオフを決定します。

消費電力管理にはどのような考慮事項がありますか?


50 Wの最大消散電力により、より高い負荷で安全なジャンクション温度を維持するために、外部ヒートシンクと取り付け方向が必要です。

ゲートで遵守する特定の電気的制限はありますか?


ゲートソース電圧は、ゲートオキサイドの損傷やデバイスの完全性を損なうことを避けるために、±20 Vを超えてはなりません。

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