Infineon MOSFET, タイプPチャンネル 100 V, 38 A エンハンスメント型, スルーホール, 3-Pin パッケージI2PAK (TO-262)

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RS品番:
650-3707
メーカー型番:
IRF5210LPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

38A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

I2PAK (TO-262)

取付タイプ

スルーホール

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

60mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

150nC

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

170W

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

順方向電圧 Vf

1.6V

動作温度 Max

150°C

高さ

10.54mm

規格 / 承認

Lead-Free

幅

4.69 mm

長さ

10.54mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

PチャンネルパワーMOSFET 100 V → 150 V、Infineon


InfineonのディスクリートHEXFET®パワーMOSFET製品には、リード付き表面実装パッケージに収容されたPチャンネルデバイス、及びほぼすべてのボードレイアウトや熱設計課題に対応できるフォームファクタが含まれています。レンジ全体にわたる抵抗のベンチマークにより、導電損失が低下するので、最適なシステム効率を発揮できます。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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