STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB13N60M2

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梱包形態
RS品番:
792-5694
メーカー型番:
STB13N60M2
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

11A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

650V

シリーズ

MDmesh M2

パッケージ型式

TO-263

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

380mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

110W

順方向電圧 Vf

1.6V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

17nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.6mm

長さ

10.4mm

規格 / 承認

No

幅

9.35 mm

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


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