STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 650 V, 11 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, STB13N60M2
- RS品番:
- 792-5694
- メーカー型番:
- STB13N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
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- RS品番:
- 792-5694
- メーカー型番:
- STB13N60M2
- メーカー/ブランド名:
- STMicroelectronics
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | STMicroelectronics | |
| チャンネルタイプ | タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 11A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 650V | |
| シリーズ | MDmesh M2 | |
| パッケージ型式 | TO-263 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 380mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17nC | |
| 最大許容損失Pd | 110W | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.6V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 10.4mm | |
| 高さ | 4.6mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド STMicroelectronics | ||
チャンネルタイプ タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 11A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 650V | ||
シリーズ MDmesh M2 | ||
パッケージ型式 TO-263 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 380mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17nC | ||
最大許容損失Pd 110W | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.6V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 10.4mm | ||
高さ 4.6mm | ||
自動車規格 なし | ||
NチャンネルMDmesh™ M2シリーズ、STMicroelectronics
STMicroelecronics製の高電圧パワーMOSFEシリーズです。 低ゲート電荷と優れた出力静電容量が特長のMDmesh M2シリーズは、共鳴タイプのスイッチング電源(LLCコンバータ)に最適です。
MOSFETトランジスタ、STMicroelectronics
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