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MOSFET・モスフェット
onsemi Nチャンネル MOSFET600 V 18.5 A スルーホール パッケージTO-3PN 3 ピン
RS品番:
671-4913
メーカー型番:
FQA19N60
メーカー/ブランド名:
onsemi
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取扱終了
RS品番:
671-4913
メーカー型番:
FQA19N60
メーカー/ブランド名:
onsemi
データシート
その他
詳細情報
仕様
Trans MOSFET N-CH 600V 18.5A 3-Pin TO-3P
ESD Control Selection Guide V1
RoHSステータス: 適合
QFET® NチャンネルMOSFET、11 → 30 A、Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor製の新しいQFET®平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC (力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。
これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。 高度なQFET®プロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFET トランジスタ、 ON Semi
ON Semi は、高電圧>( 250 V )<タイプと低電圧( 250 V )タイプを含む、充実した MOSFET デバイスポートフォリオを提供しています。高度なシリコン技術により、複数の業界標準に組み込まれ、熱耐性強化パッケージに収納された小さなダイサイズが実現します。
ON Semi MOSFET は、電圧スパイクの低減とオーバーシュート、ジャンクション容量の低減と逆回復電荷に対する設計の信頼性に優れており、追加の外部コンポーネントを排除してシステムの稼働時間を延長します。
特性
チャンネルタイプ
N
最大連続ドレイン電流
18.5 A
最大ドレイン-ソース間電圧
600 V
パッケージタイプ
TO-3PN
実装タイプ
スルーホール
ピン数
3
最大ドレイン-ソース間抵抗
380 mΩ
チャンネルモード
エンハンスメント型
最低ゲートしきい値電圧
3V
最大パワー消費
300 W
トランジスタ構成
シングル
最大ゲート-ソース間電圧
-30 V, +30 V
標準ゲートチャージ @ Vgs
70 nC @ 10 V
トランジスタ素材
Si
動作温度 Max
+150 °C
1チップ当たりのエレメント数
1
長さ
15.8mm
幅
5mm
シリーズ
QFET
高さ
18.9mm
動作温度 Min
-55 °C
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pHプローブ
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ピペット・スポイト
マルチメータ