IXYS Nチャンネル MOSFET1000 V 22 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- RS品番:
- 686-7865
- メーカー型番:
- IXTN22N100L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
在庫切れ
単価： 購入単位は 個
￥10,290.00
(税抜)
￥11,319.00
(税込)
個 | 単価 |
|---|---|
| 1 - 1 | ￥10,290.00 |
| 2 + | ￥9,990.00 |
- RS品番:
- 686-7865
- メーカー型番:
- IXTN22N100L
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYSリニアシリーズ
NチャンネルパワーMOSFETは、リニア動作に特化した設計になっています。このデバイスは、順方向バイアス安全動作領域(FBSOA)の拡張によって耐久性及び信頼性が高まっています。
MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 22 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 1000 V |
| パッケージタイプ | SOT-227 |
| シリーズ | Linear |
| 実装タイプ | スクリュー マウント |
| ピン数 | 4 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 600 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 5.5V |
| 最大パワー消費 | 700000 mW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 270 nC @ 15 V |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 38.2mm |
| 幅 | 25.07mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 9.6mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- IXYS Nチャンネル MOSFET1000 V 22 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET100 V 360 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET1000 V 24 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET650 V 76 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET150 V 310 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET850 V 90 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET500 V 112 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン
- IXYS Nチャンネル MOSFET300 V 192 A スクリュー マウント パッケージSOT-227 4 ピン