2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプPチャンネル, 4.8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMP6A18DN8TA パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,651.00

(税抜)

￥1,816.10

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,940 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 20￥330.20￥1,651
25 - 220￥306.20￥1,531
225 - 295￥284.40￥1,422
300 - 395￥260.20￥1,301
400 +￥238.60￥1,193

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
708-2554
メーカー型番:
ZXMP6A18DN8TA
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP

最大連続ドレイン電流Id

4.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

-0.85V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

44nC

最大許容損失Pd

2.1W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

幅

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, AEC-Q101, J-STD-020

高さ

1.5mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


デュアルPチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ