2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 4.7 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMC4559DN8TA パッケージSOIC
- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | ￥104.84 | ￥52,420 |
| 2500 - 4500 | ￥102.738 | ￥51,369 |
| 5000 - 12000 | ￥97.274 | ￥48,637 |
| 12500 - 24500 | ￥94.528 | ￥47,264 |
| 25000 + | ￥91.788 | ￥45,894 |
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- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最大許容損失Pd | 2.1W | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 長さ | 4.95mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.95mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
最大許容損失Pd 2.1W | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
高さ 1.5mm | ||
長さ 4.95mm | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.95mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO（原産国）:
- CN
Diodes Inc. デュアルN/PチャンネルMOSFET
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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