Name: DiodesZetex MOSFET, N, Pチャンネル, 2.6 A、4.7 A, 表面実装, 8 ピン, ZXMC4559DN8TA
Brand: DiodesZetex
SKU: 122-3286
Price: 115.32 JPY
Availability: Discontinued

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	チャンネルタイプ	N, P
	最大連続ドレイン電流	2.6 A、4.7 A
	最大ドレイン-ソース間電圧	60 V
	パッケージタイプ	SOIC
	実装タイプ	表面実装
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗	75 mΩ, 125 mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧	1V
	最大パワー消費	2.1 W
	トランジスタ構成	絶縁型
	最大ゲート-ソース間電圧	-20 V, +20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs	20.4 nC @ 10 V、24.2 nC @ 10 V
	長さ	4.95mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	幅	3.95mm
	動作温度 Max	+150 °C
	トランジスタ素材	Si
	動作温度 Min	-55 °C
	高さ	1.5mm

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	チャンネルタイプ N, P
	最大連続ドレイン電流 2.6 A、4.7 A
	最大ドレイン-ソース間電圧 60 V
	パッケージタイプ SOIC
	実装タイプ表面実装
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗 75 mΩ, 125 mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最低ゲートしきい値電圧 1V
	最大パワー消費 2.1 W
	トランジスタ構成絶縁型
	最大ゲート-ソース間電圧 -20 V, +20 V
	標準ゲートチャージ @ Vgs 20.4 nC @ 10 V、24.2 nC @ 10 V
	長さ 4.95mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	幅 3.95mm
	動作温度 Max +150 °C
	トランジスタ素材 Si
	動作温度 Min -55 °C
	高さ 1.5mm

COO（原産国）:: CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

DiodesZetex MOSFET, N, Pチャンネル, 2.6 A、4.7 A, 表面実装, 8 ピン, ZXMC4559DN8TA

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

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