2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 4.7 A, 表面, 表面実装 60 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMC4559DN8TA パッケージSOIC
- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
取扱停止中
この商品はお取扱い終了致しました。
- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.7A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 60V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面, 表面実装 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 75mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 最大許容損失Pd | 2.1W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 4.95mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.7A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面, 表面実装 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 75mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min -55°C | ||
最大許容損失Pd 2.1W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11nC | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 4.95mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 No | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
- COO(原産国):
- CN
Diodes Inc. デュアルN/PチャンネルMOSFET
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
関連ページ
- 2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 30 V ZXMC3A16DN8TA パッケージSOIC
- 2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式 タイプNチャンネル 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- 2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式 4.8 A 8-Pin エンハンスメント型, ZXMP6A18DN8TA パッケージSOIC
- 2 DiodesZetex MOSFET 分離式 5.5 A 8-Pin エンハンスメント型, ZXMP3A16DN8TA パッケージSOIC
- 2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式 4.8 A 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- DiodesZetex MOSFET 1.2 A エンハンスメント型 8-Pin, ZXMS6004DT8TA
- onsemi MOSFET Pチャンネル 表面実装 FDS4559-F085
- 2 DiodesZetex MOSFET デュアル 0.9 A 8-Pin エンハンスメント型, ZXMS6008DN8-13 パッケージSO-8
