DiodesZetex MOSFET, タイプN, タイプN, タイプP, タイプPチャンネル, 分離式, 60 V, 4.7 A, 75 mΩ, 11 nC, 8ピン, パッケージ：SOIC
- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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- RS品番:
- 122-3286
- メーカー型番:
- ZXMC4559DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
その他
詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) | 60 V | |
| 最大連続ドレイン電流(Id) | 4.7 A | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) | 75 mΩ | |
| 標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs | 11 nC | |
| ピン数 | 8 | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 (Vf) | 850 mV | |
| 高さ | 1.5 mm | |
| 長さ | 4.95 mm | |
| 最大ゲートソース電圧(Vgs) | -20 V, +20 V | |
| 動作温度 (Max) | 150 °C | |
| 最大許容損失(Pd) | 2.1 W | |
| 動作温度 (Min) | -55 °C | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 幅 | 3.95 mm | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプN, タイプP, タイプP | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
最大ドレイン-ソース間電圧(Vds) 60 V | ||
最大連続ドレイン電流(Id) 4.7 A | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗(Rds) 75 mΩ | ||
標準ゲートチャージ (Qg) @ Vgs 11 nC | ||
ピン数 8 | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 (Vf) 850 mV | ||
高さ 1.5 mm | ||
長さ 4.95 mm | ||
最大ゲートソース電圧(Vgs) -20 V, +20 V | ||
動作温度 (Max) 150 °C | ||
最大許容損失(Pd) 2.1 W | ||
動作温度 (Min) -55 °C | ||
取付タイプ 表面 | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
規格 / 承認 No | ||
幅 3.95 mm | ||
- COO（原産国）:
- CN
Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
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