DiodesZetex MOSFET, N, Pチャンネル, 2.6 A、4.7 A, 表面実装, 8 ピン, ZXMC4559DN8TA

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RS品番:
122-3286
メーカー型番:
ZXMC4559DN8TA
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

N, P

最大連続ドレイン電流

2.6 A、4.7 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

SOIC

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

75 mΩ, 125 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

2.1 W

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

1チップ当たりのエレメント数

2

動作温度 Max

+150 °C

トランジスタ素材

Si

標準ゲートチャージ @ Vgs

20.4 nC @ 10 V、24.2 nC @ 10 V

長さ

4.95mm

幅

3.95mm

高さ

1.5mm

動作温度 Min

-55 °C

COO（原産国）:
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。



MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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