型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6.4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMC3A16DN8TA パッケージSOIC

RS品番:: 770-3393
メーカー型番:: ZXMC3A16DN8TA
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6.4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMC3A16DN8TA パッケージSOIC

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RS品番:: 770-3393
メーカー型番:: ZXMC3A16DN8TA
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	6.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	50mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	17.5nC
	最大許容損失Pd	2.1W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	順方向電圧 Vf	0.85V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	長さ	5mm
	規格 / 承認	RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202
	幅	4 mm
	高さ	1.5mm
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 6.4A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min 150°C
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.5nC
	最大許容損失Pd 2.1W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	順方向電圧 Vf 0.85V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	長さ 5mm
	規格 / 承認 RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202
	幅 4 mm
	高さ 1.5mm
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6.4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMC3A16DN8TA パッケージSOIC

￥3,000円を超える注文については、送料無料

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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