2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 6.4 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC
- RS品番:
- 122-1450
- メーカー型番:
- ZXMC3A16DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 500 - 2000 | ¥118.75 | ¥59,375 |
| 2500 - 4500 | ¥117.004 | ¥58,502 |
| 5000 - 12000 | ¥115.258 | ¥57,629 |
| 12500 - 24500 | ¥113.512 | ¥56,756 |
| 25000 + | ¥111.764 | ¥55,882 |
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- RS品番:
- 122-1450
- メーカー型番:
- ZXMC3A16DN8TA
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | パワーMOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 6.4A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 50mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 17.5nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.85V | |
| 最大許容損失Pd | 2.1W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 規格 / 承認 | RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 4 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ パワーMOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 6.4A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 50mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 17.5nC | ||
順方向電圧 Vf 0.85V | ||
最大許容損失Pd 2.1W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
規格 / 承認 RoHS, J-STD-020, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202 | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 4 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO(原産国):
- CN
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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