Vishay パワーMOSFET, Nチャンネル, 500 V, 8 A, 850 mΩ, 63 nC, 3ピン, パッケージ:TO-263

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梱包形態
RS品番:
708-4752
Distrelec 品番:
304-36-067
メーカー型番:
IRF840SPBF
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

500V

パッケージ型式

TO-263

シリーズ

IRF840S

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

850mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大許容損失Pd

125W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

63nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

2V

最大ゲートソース電圧Vgs

-20V, +20V

動作温度 Max

150°C

高さ

4.83mm

長さ

10.41mm

規格 / 承認

RoHS

幅

9.65mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay IRF840SシリーズパワーMOSFET、500 Vドレインソース電圧、最大消費電力125 W - IRF840SPBF


このパワーMOSFETは、電力変換および制御システムの表面実装用途向けに設計された高電圧Nチャンネルスイッチングデバイスです。広い熱範囲で動作し、産業用電源や高電圧スイッチング段など、堅牢な電圧処理と中程度の電流能力が求められる用途向けに設計されています。

特長:


• 500 Vドレインソース定格により、高電圧スイッチングを実現
• 8 Aの連続ドレイン電流により、持続的な負荷電流をサポート
• 125Wの消費電力により、高出力処理が可能
• 850mΩ Rds(on)により、動作電流時の導通損失を低減
• 63nC標準ゲート充電により、予測可能なスイッチング性能を実現
• 20Vゲート・ソース・リミットにより、広いゲート・ドライブ・マージンを実現

用途


• 高電圧電源スイッチングステージに最適
• モータドライブインバータフロントエンドに最適
• 産業用ユニットのブーストコンバータトポロジで使用
• スイッチモード電力整流モジュールに使用可能
• テスト機器の高電圧負荷スイッチングに最適

信頼性の高い組み立てには、どのような取り付け方法が必要ですか?


表面実装基板アタッチメント用に構成されたTO-263パッケージで提供され、リフローはんだ付けおよび基板銅領域への熱接続を可能にします。

このデバイスは極端な温度条件下でどのような性能を発揮しますか?


このジャンクションの定格動作温度は-55°C~150°Cで、幅広い周囲温度と熱変動のある環境での使用が可能です。

どのようなゲートドライブの制限を遵守する必要がありますか?


デバイスの損傷を防止するため、ゲートソース電圧は20 Vを超えてはならないため、ゲートドライブ回路には適切なクランプまたはレベル制御を備える必要があります。

この部品には自動車用の資格がありますか?


自動車規格に適合することは指定されていないため、車両の安全用途では自動車グレードとは考えないでください。

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