Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 25 V, 12.7 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4116DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
710-3317
メーカー型番:
SI4116DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

25V

シリーズ

Si4116DY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

9mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

37nC

最大許容損失Pd

2.5W

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.55mm

長さ

5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、8 → 25 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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