Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 12 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4178DY-T1-GE3

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計：*

￥1,116.00

(税抜)

￥1,227.60

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 1,720 は 2025年12月29日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
20 - 100￥55.80￥1,116
120 - 1180￥49.65￥993
1200 - 1580￥43.45￥869
1600 - 1980￥37.30￥746
2000 +￥31.10￥622

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
812-3205
メーカー型番:
SI4178DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si4178DY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

0.85V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

高さ

1.55mm

幅

4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ