Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 12 A, 33 mΩ, 7.5 nC, 8ピン, パッケージ:SOIC

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梱包形態
RS品番:
812-3205
メーカー型番:
SI4178DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流Id

12A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si4178DY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

33mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.85V

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

25V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.5nC

最大許容損失Pd

5W

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

規格 / 承認

RoHS

高さ

1.55mm

4mm

自動車規格

なし

COO(原産国):
CN

Vishay Si4178DYシリーズMOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流12 A - SI4178DY-T1-GE3


このMOSFETは、コンパクトな電子システムの電源スイッチングと管理用に設計された表面実装Nチャンネル強化デバイスです。適度な電圧処理と高い連続電流能力を備え、効率的な高電流スイッチングと耐熱性が求められる用途に適しています。このコンポーネントはRoHSに準拠し、産業および商業設計における基板レベルの取り付けを目的としています。

特長:


• 30V ドレイン定格により、中電圧スイッチング用途に対応
• 12Aの連続電流により、高電流負荷制御をサポート
• 33 mΩ Rds(on)により、電源経路での導通損失を低減
• 標準ゲート電荷 7.5nC により、高速なゲート遷移が可能
• 5Wの消費電力により、小型パッケージで熱負荷を管理

用途


• DC-DCコンバータの出力段に最適
• バッテリ管理および配電に最適
• コンパクトアクチュエータ用モータドライバーと併用
• 通信機器の負荷スイッチングに使用可能

設計者はどのようなゲート電圧制限を遵守する必要がありますか?


このデバイスは、ゲートとソース間で最大25 Vを受け入れるため、ゲートドライバはこの制限内に保つ必要があり、ゲート酸化ストレスを回避する必要があります。

熱性能は基板レイアウトの決定にどのように影響しますか?


5 Wの消散定格により、設計者は、SOICフットプリントの下に十分な銅面積と熱バイアを提供する必要があり、熱の拡散を向上させ、ジャンクション温度を限界内に維持する必要があります。

動作可能な周囲温度範囲は?


-55°C~150°Cで確実に動作し、幅広い熱極端にさらされる用途での選択に役立ちます。

パッケージと取り付けに関する考慮事項は、組立に影響しますか?


この部品は、全体のプロファイル高さ1.55 mmのSOIC-8表面実装パッケージで提供されているため、一貫したはんだ接合のためにステンシル設計とはんだペースト容量を調整する必要があります。

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