Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 13.6 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4162DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
710-3323
メーカー型番:
SI4162DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

13.6A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

Si4162DY

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

8mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

20nC

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Max

150°C

長さ

5mm

高さ

1.5mm

規格 / 承認

No

幅

4 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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