Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 100 V, 11.1 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4056DY-T1-GE3

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計:*

¥840.00

(税抜)

¥924.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 4,235 は海外在庫あり
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
5 - 120¥168.00¥840
125 - 1195¥146.40¥732
1200 - 1595¥126.60¥633
1600 - 1995¥105.20¥526
2000 +¥84.40¥422

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
787-9137
メーカー型番:
SI4056DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

11.1A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOIC

シリーズ

ThunderFET

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

31mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

19.6nC

最大許容損失Pd

5.7W

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

順方向電圧 Vf

1.1V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.5mm

4 mm

長さ

5mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、中電圧 / ThunderFET®、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


関連ページ