Vishay MOSFET, Nチャンネル, 4.3 A, 表面実装, 8 ピン, SI4900DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
710-3364
メーカー型番:
SI4900DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

4.3 A

最大ドレイン-ソース間電圧

60 V

パッケージタイプ

SOIC

実装タイプ

表面実装

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗

58 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

1V

最大パワー消費

2000 mW

トランジスタ構成

絶縁型

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+150 °C

標準ゲートチャージ @ Vgs

13 nC @ 10 V

幅

4mm

トランジスタ素材

Si

1チップ当たりのエレメント数

2

長さ

5mm

動作温度 Min

-55 °C

高さ

1.55mm

デュアルNチャンネルMOSFET、Vishay Semiconductor


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MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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