型番

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 5.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4900DY-T1-E3

RS品番:: 180-8002
メーカー型番:: SI4900DY-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 5.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4900DY-T1-E3

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RS品番:: 180-8002
メーカー型番:: SI4900DY-T1-E3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	シリーズ	TrenchFET
	パッケージ型式	SO-8
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.058Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	13nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	3.1W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21
	長さ	4.8mm
	高さ	1.35mm
	幅	4 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 5.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	シリーズ TrenchFET
	パッケージ型式 SO-8
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.058Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 3.1W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21
	長さ 4.8mm
	高さ 1.35mm
	幅 4 mm
	自動車規格なし

Vishay SiliconixのSI4900DYシリーズTrenchFETデュアルNチャネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が60Vで、LCDテレビやCCFLインバータに使用されます。

鉛フリー

ハロゲンフリー

鉛フリー

ハロゲンフリー

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 5.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4900DY-T1-E3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

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