Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 5.3 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SI4900DY-T1-E3

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梱包形態
RS品番:
180-8002
メーカー型番:
SI4900DY-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.3A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.058Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

3.1W

順方向電圧 Vf

1.2V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13nC

動作温度 Min

-55°C

動作温度 Max

150°C

長さ

4.8mm

高さ

1.35mm

規格 / 承認

IEC 61249-2-21

幅

4 mm

自動車規格

なし

Vishay SiliconixのSI4900DYシリーズTrenchFETデュアルNチャネルパワーMOSFETは、ドレイン・ソース間電圧が60Vで、LCDテレビやCCFLインバータに使用されます。

鉛フリー

ハロゲンフリー

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