Vishay MOSFETトランジスタ, Pチャンネル, 2.2 A, 表面実装, 3 ピン, SI2301BDS-T1-E3

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RS品番:
710-4660
メーカー型番:
SI2301BDS-T1-E3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

P

最大連続ドレイン電流

2.2 A

最大ドレイン-ソース間電圧

20 V

パッケージタイプ

SOT-23

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

100 mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

0.45V

最大パワー消費

700 mW

最大ゲート-ソース間電圧

-8 V, +8 V

標準ゲートチャージ @ Vgs

4.5 nC @ 4.5 V

幅

1.4mm

長さ

3.04mm

1チップ当たりのエレメント数

1

動作温度 Max

+150 °C

高さ

1.02mm

動作温度 Min

-55 °C

PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor



MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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