Vishay Pチャンネル MOSFETトランジスタ20 V 2.2 A 表面実装 パッケージSOT-23 3 ピン
- RS品番:
- 710-4660
- メーカー型番:
- SI2301BDS-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | ￥45.00 | ￥900.00 |
| 100 - 180 | ￥40.00 | ￥800.00 |
| 200 - 380 | ￥39.00 | ￥780.00 |
| 400 - 980 | ￥38.00 | ￥760.00 |
| 1000 + | ￥36.00 | ￥720.00 |
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- 710-4660
- メーカー型番:
- SI2301BDS-T1-E3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
データシート
その他
詳細情報
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | P |
| 最大連続ドレイン電流 | 2.2 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 20 V |
| パッケージタイプ | SOT-23 |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 100 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 0.45V |
| 最大パワー消費 | 700 mW |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -8 V, +8 V |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 4.5 nC @ 4.5 V |
| 長さ | 3.04mm |
| 幅 | 1.4mm |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 動作温度 Min | -55 °C |
| 高さ | 1.02mm |
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