型番

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2308BDS-T1-GE3

RS品番:: 710-3257
メーカー型番:: SI2308BDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2308BDS-T1-GE3

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140 - 1380	￥71.35	￥1,427
1400 - 1780	￥60.75	￥1,215
1800 - 2380	￥51.15	￥1,023
2400 +	￥40.50	￥810

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RS品番:: 710-3257
メーカー型番:: SI2308BDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	2.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	60V
	パッケージ型式	SOT-23
	シリーズ	Si2308BDS
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	0.192Ω
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	2.3nC
	動作温度 Min	-55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs	±20 V
	最大許容損失Pd	1.66W
	順方向電圧 Vf	1.2V
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.4 mm
	高さ	1.02mm
	長さ	3.04mm
	規格 / 承認	IEC 61249-2-21
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプN
	最大連続ドレイン電流Id 2.3A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 60V
	パッケージ型式 SOT-23
	シリーズ Si2308BDS
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.192Ω
	チャンネルモードエンハンスメント型
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.3nC
	動作温度 Min -55°C
	最大ゲートソース電圧Vgs ±20 V
	最大許容損失Pd 1.66W
	順方向電圧 Vf 1.2V
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.4 mm
	高さ 1.02mm
	長さ 3.04mm
	規格 / 承認 IEC 61249-2-21
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay パワーMOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.3 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2308BDS-T1-GE3

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NチャンネルMOSFET、60 → 90 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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