Infineon MOSFET, タイプNチャンネル 60 V, 2.7 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, IRLML0060TRPBF

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梱包形態
RS品番:
725-9341
メーカー型番:
IRLML0060TRPBF
メーカー/ブランド名:
インフィニオン
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ブランド

インフィニオン

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

2.7A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

シリーズ

HEXFET

パッケージ型式

SOT-23

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

92mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

1.25W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.5nC

最大ゲートソース電圧Vgs

16 V

順方向電圧 Vf

1.3V

動作温度 Max

150°C

高さ

1.02mm

長さ

3.04mm

幅

1.4 mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


Infineon NチャンネルパワーMOSFET 60 → 80 V


Infineon のディスクリート HEXFET ® パワー MOSFET 製品には、リード付き表面実装パッケージに収容された N チャンネルデバイスが含まれています。ほぼすべてのボードレイアウトや熱設計の課題に対応できるフォームファクタも用意されています。抵抗値範囲全体のベンチマークで導電損失を低減させます。これにより最大限のシステム効率を実現します。

MOSFETトランジスタ、Infineon


Infineonでは、CoolMOS、OptiMOS、StrongIRFETの各ファミリをはじめ、MOSFETデバイスの幅広く包括的な製品ラインを取り揃えています。効率、電力密度、及びコスト効果を高めるためにクラス最高の性能を実現しています。高い品質と強化された保護機能が求められる設計では、AEC-Q101車載用規格に適合するMOSFETが活用されます。

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