Infineon MOSFET, Nチャンネル, 20 V, 4.1 A, 66 mΩ, 3.5 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23
- RS品番:
- 737-7221
- Distrelec 品番:
- 304-45-317
- メーカー型番:
- IRLML6246TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
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- RS品番:
- 737-7221
- Distrelec 品番:
- 304-45-317
- メーカー型番:
- IRLML6246TRPBF
- メーカー/ブランド名:
- インフィニオン
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | インフィニオン | |
| チャンネルタイプ | N | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 4.1A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| シリーズ | HEXFET | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 66mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | -12V, +12V | |
| 最大許容損失Pd | 1.3W | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 3.5nC | |
| 動作温度 Min | -55°C | |
| 順方向電圧 Vf | 1.2V | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 規格 / 承認 | No | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 幅 | 1.4mm | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド インフィニオン | ||
チャンネルタイプ N | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 4.1A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
シリーズ HEXFET | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 66mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
最大ゲートソース電圧Vgs -12V, +12V | ||
最大許容損失Pd 1.3W | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 3.5nC | ||
動作温度 Min -55°C | ||
順方向電圧 Vf 1.2V | ||
動作温度 Max 150°C | ||
規格 / 承認 No | ||
長さ 3.04mm | ||
高さ 1.02mm | ||
幅 1.4mm | ||
自動車規格 なし | ||
インフィニオン HEXFETシリーズMOSFET、最大ドレイン-ソース間電圧20V、最大連続ドレイン電流4.1A - IRLML6246TRPBF
このMOSFETは、表面実装アセンブリにおける低電圧スイッチング用に設計されたコンパクトNチャンネルエンハンスメントデバイスです。広い温度範囲で動作し、一般的な制御回路と互換性のあるゲート-ドライブレベルに対応します。パッケージと電気的特性により高い電力処理要件なしで効率的なスイッチング性能を必要とするスペースに制約のあるボードに適しています。
特長：
• 最大ドレイン-ソース間電圧20Vにより、低電圧スイッチング用途に対応
• 連続ドレイン電流4.1Aにより中負荷電流をサポート
• 低抵抗66 mΩにより、伝導損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷3.5 nCにより、より高速なスイッチング遷移が可能
• 最大許容電力1.3Wにより、制限のある熱予算に適合
• 最大12Vのゲートソース許容差により堅牢なドライブマージンを実現
• 連続ドレイン電流4.1Aにより中負荷電流をサポート
• 低抵抗66 mΩにより、伝導損失を最小限に抑制
• 標準ゲート電荷3.5 nCにより、より高速なスイッチング遷移が可能
• 最大許容電力1.3Wにより、制限のある熱予算に適合
• 最大12Vのゲートソース許容差により堅牢なドライブマージンを実現
用途
• ポータブルシステムにおけるバッテリー管理用のスイッチングに最適
• 配電モジュールのロードスイッチに最適
• モータ制御低電圧段階でゲートドライバと併用
• DC-DCコンバーター同期スイッチングに使用可能
• 制御回路における信号レベル高速スイッチングに最適
• 配電モジュールのロードスイッチに最適
• モータ制御低電圧段階でゲートドライバと併用
• DC-DCコンバーター同期スイッチングに使用可能
• 制御回路における信号レベル高速スイッチングに最適
このデバイスは、動作中にどのような極端な温度条件に耐えることができますか？
-55°C～150 °Cの範囲で動作するように仕様が定められており、温度変動の激しい環境でも使用可能です。
パッケージは基板配置や実装にどのような影響を与えますか？
3ピン付きのSOT‑23表面実装形式により、基板面積を削減し、自動ピックアンドプレースおよびリフロープロセスをサポートします。
高いゲート電圧下ではどのような動作が期待されますか？
このデバイスは、ゲートソース定格を最大12Vに制限するため、ゲートドライブはこのしきい値内に留まり、ゲート酸化ストレスを防止する必要があります。
このデバイスは、連続負荷がかかった状態でどのような性能を発揮しますか？
連続ドレイン電流は定格4.1Aで、熱放散は1.3Wに制限されているため、安全なジャンクション温度を維持するために十分な銅面積またはヒートシンクが必要です。
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