2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3021LSD-13 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品
一括購入価格オプションを表示

1 袋(1袋25個入り) 小計:*

¥1,879.00

(税抜)

¥2,067.00

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
一時的に在庫切れ
  • 2,475 2026年6月08日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。

単価
購入単位毎合計*
25 - 100¥75.16¥1,879
125 - 1100¥66.00¥1,650
1125 - 1475¥56.84¥1,421
1500 - 1975¥46.68¥1,167
2000 +¥37.60¥940

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
751-4067
メーカー型番:
DMC3021LSD-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

最大連続ドレイン電流Id

8.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

53mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.7V

最大許容損失Pd

2.5W

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

7.8nC

トランジスタ構成

分離式

動作温度 Max

-55°C

規格 / 承認

AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0

高さ

1.5mm

長さ

4.95mm

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO(原産国):
CN

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ

お得な情報をいち早く受け取ろう

Emailアドレス

お客様の個人情報は、当社のプライバシーポリシーに従って慎重に取り扱いを行います。