型番

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3021LSD-13 パッケージSOIC

RS品番:: 751-4067
メーカー型番:: DMC3021LSD-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3021LSD-13 パッケージSOIC

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個	単価	購入単位毎合計*
25 - 100	￥79.12	￥1,978
125 - 1100	￥69.52	￥1,738
1125 - 1475	￥59.88	￥1,497
1500 - 1975	￥49.16	￥1,229
2000 +	￥39.56	￥989

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RS品番:: 751-4067
メーカー型番:: DMC3021LSD-13
メーカー/ブランド名:: DiodesZetex

データシート

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	DiodesZetex
	プロダクトタイプ	パワーMOSFET
	チャンネルタイプ	タイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id	8.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SOIC
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	53mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	150°C
	最大許容損失Pd	2.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	7.8nC
	順方向電圧 Vf	0.7V
	動作温度 Max	-55°C
	トランジスタ構成	分離式
	高さ	1.5mm
	長さ	4.95mm
	幅	3.95 mm
	規格 / 承認	AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	1チップ当たりのエレメント数	2
	自動車規格	AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

	すべて選択
	ブランド DiodesZetex
	プロダクトタイプパワーMOSFET
	チャンネルタイプタイプP, タイプN
	最大連続ドレイン電流Id 8.5A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SOIC
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 53mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min 150°C
	最大許容損失Pd 2.5W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 7.8nC
	順方向電圧 Vf 0.7V
	動作温度 Max -55°C
	トランジスタ構成分離式
	高さ 1.5mm
	長さ 4.95mm
	幅 3.95 mm
	規格 / 承認 AEC-Q101, RoHS, MIL-STD-202, J-STD-020, UL 94V-0
	1チップ当たりのエレメント数 2
	自動車規格 AEC-Q200, AEC-Q100, AEC-Q101

COO（原産国）:: CN

2 DiodesZetex パワーMOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3021LSD-13 パッケージSOIC

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.

MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.

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