2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプP, タイプNチャンネル, 8.2 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3026LSD-13 パッケージSOIC

ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋20個入り) 小計:*

¥1,873.00

(税抜)

¥2,060.40

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 40 は海外在庫あり
  • 1,160 2026年2月26日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
単価
購入単位毎合計*
20 - 100¥93.65¥1,873
120 - 1180¥82.10¥1,642
1200 - 1580¥70.40¥1,408
1600 - 1980¥58.95¥1,179
2000 +¥47.40¥948

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
921-1029
メーカー型番:
DMC3026LSD-13
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報(複数選択可)を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

8.2A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

29mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

6nC

順方向電圧 Vf

0.7V

最大許容損失Pd

1.6W

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

分離式

高さ

1.5mm

3.95 mm

長さ

4.95mm

規格 / 承認

MIL-STD-202, AEC-Q101, UL 94V-0, RoHS, J-STD-020

1チップ当たりのエレメント数

2

自動車規格

AEC-Q101

デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ