2 DiodesZetex MOSFET 分離式, タイプN, タイプPチャンネル, 10.5 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, DMC3016LSD-13 パッケージSOIC
- RS品番:
- 921-1010
- メーカー型番:
- DMC3016LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
| 20 - 100 | ¥77.00 | ¥1,540 |
| 120 - 1180 | ¥67.70 | ¥1,354 |
| 1200 - 1580 | ¥58.50 | ¥1,170 |
| 1600 - 1980 | ¥48.25 | ¥965 |
| 2000 + | ¥39.00 | ¥780 |
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- RS品番:
- 921-1010
- メーカー型番:
- DMC3016LSD-13
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| チャンネルタイプ | タイプN, タイプP | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 10.5A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 30V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 20mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 11.3nC | |
| 順方向電圧 Vf | 0.7V | |
| 最大許容損失Pd | 1.6W | |
| 最大ゲートソース電圧Vgs | 20 V | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| トランジスタ構成 | 分離式 | |
| 長さ | 4.95mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 幅 | 3.95 mm | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 2 | |
| 自動車規格 | AEC-Q101 | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
チャンネルタイプ タイプN, タイプP | ||
最大連続ドレイン電流Id 10.5A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 20mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
動作温度 Min 150°C | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 11.3nC | ||
順方向電圧 Vf 0.7V | ||
最大許容損失Pd 1.6W | ||
最大ゲートソース電圧Vgs 20 V | ||
動作温度 Max -55°C | ||
トランジスタ構成 分離式 | ||
長さ 4.95mm | ||
規格 / 承認 RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
高さ 1.5mm | ||
幅 3.95 mm | ||
1チップ当たりのエレメント数 2 | ||
自動車規格 AEC-Q101 | ||
デュアルN/PチャンネルMOSFET、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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