4 DiodesZetex MOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMHC10A07N8TC パッケージSOIC

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RS品番:
751-5332
メーカー型番:
ZXMHC10A07N8TC
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

850mA

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

100V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

1.45mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

2.9nC

動作温度 Min

150°C

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.36W

順方向電圧 Vf

0.95V

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

フルブリッジ

長さ

5mm

高さ

1.5mm

幅

4 mm

規格 / 承認

RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


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