4 DiodesZetex MOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 850 mA, 表面 100 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMHC10A07N8TC パッケージSOIC
- RS品番:
- 751-5332
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07N8TC
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
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- RS品番:
- 751-5332
- メーカー型番:
- ZXMHC10A07N8TC
- メーカー/ブランド名:
- DiodesZetex
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | DiodesZetex | |
| チャンネルタイプ | タイプP, タイプN | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 850mA | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 100V | |
| パッケージ型式 | SOIC | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 8 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 1.45mΩ | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 順方向電圧 Vf | 0.95V | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 2.9nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.36W | |
| 動作温度 Min | 150°C | |
| トランジスタ構成 | フルブリッジ | |
| 動作温度 Max | -55°C | |
| 長さ | 5mm | |
| 高さ | 1.5mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 4 | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド DiodesZetex | ||
チャンネルタイプ タイプP, タイプN | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 850mA | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 100V | ||
パッケージ型式 SOIC | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 8 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 1.45mΩ | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
順方向電圧 Vf 0.95V | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 2.9nC | ||
最大許容損失Pd 1.36W | ||
動作温度 Min 150°C | ||
トランジスタ構成 フルブリッジ | ||
動作温度 Max -55°C | ||
長さ 5mm | ||
高さ 1.5mm | ||
規格 / 承認 RoHS, J-STD-020, AEC-Q101, MIL-STD-202, UL 94V-0 | ||
1チップ当たりのエレメント数 4 | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.
MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.
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