4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ, タイプN, タイプPチャンネル, 1.8 A, 表面 60 V, 8-Pin エンハンスメント型 パッケージSOIC

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RS品番:
169-0719
メーカー型番:
ZXMHC6A07N8TC
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
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ブランド

DiodesZetex

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN, タイプP

最大連続ドレイン電流Id

1.8A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

60V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

350mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.8V

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

動作温度 Min

150°C

最大許容損失Pd

1.36W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

3.2nC

動作温度 Max

-55°C

トランジスタ構成

フルブリッジ

幅

4 mm

規格 / 承認

UL 94V-0, AEC-Q101, J-STD-020, RoHS, MIL-STD-202

高さ

1.5mm

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


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