4 DiodesZetex パワーMOSFET フルブリッジ, タイプP, タイプNチャンネル, 4.98 A, 表面 30 V, 8-Pin エンハンスメント型, ZXMHC3F381N8TC パッケージSOIC

MOSFET・モスフェット の一覧へ
ボリュームディスカウント対象商品

1 袋(1袋5個入り) 小計：*

￥1,205.00

(税抜)

￥1,325.50

(税込)

Add to Basket
数量を選択または入力
在庫あり
  • 5 は海外在庫あり
  • 24,440 は 2026年1月05日 に入荷予定
「配達日を確認」をクリックすると、在庫と配送の詳細が表示されます。
個
単価
購入単位毎合計*
5 - 120￥241.00￥1,205
125 - 1195￥222.80￥1,114
1200 - 1595￥205.20￥1,026
1600 - 1995￥187.40￥937
2000 +￥171.20￥856

* 表示は参考価格です。ご購入数量によって価格は変動します。なお、上記数量を大きく超える大量ご購入の際は右下チャットからお問合せください。

梱包形態
RS品番:
751-5344
メーカー型番:
ZXMHC3F381N8TC
メーカー/ブランド名:
DiodesZetex
製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。
すべて選択

ブランド

DiodesZetex

チャンネルタイプ

タイプP, タイプN

プロダクトタイプ

パワーMOSFET

最大連続ドレイン電流Id

4.98A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

80mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

1.35W

動作温度 Min

150°C

順方向電圧 Vf

0.82V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

9nC

トランジスタ構成

フルブリッジ

動作温度 Max

-55°C

幅

4 mm

規格 / 承認

RoHS, UL 94V-0, AEC-Q101, MIL-STD-202, J-STD-020

高さ

1.5mm

長さ

5mm

1チップ当たりのエレメント数

4

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

補助強化モードMOSFET Hブリッジ、Diodes Inc.


MOSFETトランジスタ、Diodes Inc.


関連ページ