STMicroelectronics MOSFET, タイプNチャンネル 600 V, 5.5 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージPowerFLAT, STL10N60M6

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梱包形態
RS品番:
192-4825
メーカー型番:
STL10N60M6
メーカー/ブランド名:
STMicroelectronics
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ブランド

STMicroelectronics

チャンネルタイプ

タイプN

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.5A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

600V

パッケージ型式

PowerFLAT

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

660mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

1.6V

最大ゲートソース電圧Vgs

25 V

最大許容損失Pd

48W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

8.8nC

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6mm

高さ

0.95mm

幅

5 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN
新しい MDmesh ™ M6 テクノロジは、 SJ MOSFET の有名で統合された MDmesh ファミリに最新の機能を組み込んでいます。STMicroelectronics は、新しい M6 技術によって前世代の MDmesh デバイスを基盤として構築されています。この技術は、エリアごとに優れた RDS （ on ）を向上させ、最も効果的なスイッチング動作を実現

スイッチング損失の低減

前世代と比べて、領域ごとの RDS （ on ）が低くなります

低ゲート入力抵抗

ツェナー保護

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