Vishay MOSFET, Nチャンネル, 1.15 A, 表面実装, 3 ピン, SI2328DS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9229
メーカー型番:
SI2328DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

N

最大連続ドレイン電流

1.15 A

最大ドレイン-ソース間電圧

100 V

パッケージタイプ

SOT-23

実装タイプ

表面実装

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗

2.4 Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

最低ゲートしきい値電圧

2V

最大パワー消費

1.25 W

トランジスタ構成

シングル

最大ゲート-ソース間電圧

-20 V, +20 V

動作温度 Max

+150 °C

トランジスタ素材

Si

標準ゲートチャージ @ Vgs

1.45 nC @ 10 V

1チップ当たりのエレメント数

1

幅

1.4mm

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

動作温度 Min

-55 °C

受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。


NチャンネルMOSFET、100 → 150 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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