Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 50 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR401DP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
787-9342
メーカー型番:
SIR401DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

50A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

シリーズ

TrenchFET

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

7.7mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

205nC

動作温度 Min

-55°C

順方向電圧 Vf

-1.1V

最大ゲートソース電圧Vgs

12 V

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

No

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

幅

5.26 mm

自動車規格

なし

PチャンネルMOSFET、TrenchFET Gen III、Vishay Semiconductors


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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