Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR418DP-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
814-1275
メーカー型番:
SIR418DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

パッケージ型式

SO-8

シリーズ

SiR418DP

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

動作温度 Min

-55°C

最大許容損失Pd

39W

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

順方向電圧 Vf

0.71V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

高さ

1.12mm

規格 / 承認

No

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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