型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR462DP-T1-GE3

RS品番:: 710-3402
メーカー型番:: SIR462DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR462DP-T1-GE3

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1425 - 1895	￥143.20	￥716
1900 - 2395	￥121.60	￥608
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RS品番:: 710-3402
メーカー型番:: SIR462DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

製品情報（複数選択可）を選択して、類似製品を検索します。

すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	19A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	パッケージ型式	SO-8
	シリーズ	SiR462DP
	取付タイプ	表面
	ピン数	8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	8mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	順方向電圧 Vf	0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	20nC
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Min	-55°C
	最大許容損失Pd	4.8W
	動作温度 Max	150°C
	長さ	4.9mm
	幅	5.89 mm
	高さ	1.04mm
	規格 / 承認	No
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 19A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	パッケージ型式 SO-8
	シリーズ SiR462DP
	取付タイプ表面
	ピン数 8
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 8mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	順方向電圧 Vf 0.8V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 20nC
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Min -55°C
	最大許容損失Pd 4.8W
	動作温度 Max 150°C
	長さ 4.9mm
	幅 5.89 mm
	高さ 1.04mm
	規格 / 承認 No
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 19 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8, SIR462DP-T1-GE3

￥3,000円を超える注文については、送料無料

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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