Vishay TrenchFET パワーMOSFET, タイプNチャンネル 30 V, 30 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSOIC, SI4164DY-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
812-3198
メーカー型番:
SI4164DY-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

TrenchFET パワーMOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

30A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

30V

シリーズ

Si4164DY

パッケージ型式

SOIC

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0032Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

順方向電圧 Vf

0.72V

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

26.5nC

動作温度 Min

-55°C

最大ゲートソース電圧Vgs

±20 V

最大許容損失Pd

6W

動作温度 Max

150°C

高さ

1.55mm

規格 / 承認

JEDEC JS709A, RoHS

幅

4 mm

長さ

5mm

自動車規格

なし

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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