IXYS Nチャンネル MOSFET600 V 48 A スルーホール パッケージTO-264 3 ピン
- RS品番:
- 801-1415
- メーカー型番:
- IXFK48N60Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
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| 6 - 11 | ￥4,350.00 |
| 12 - 15 | ￥3,397.00 |
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| 20 + | ￥2,444.00 |
- RS品番:
- 801-1415
- メーカー型番:
- IXFK48N60Q3
- メーカー/ブランド名:
- IXYS
その他
詳細情報
NチャンネルパワーMOSFET、IXYS HiperFET™ Q3シリーズ
IXYSのQ3クラスのHiperFET™パワーMOSFETは、ハードスイッチング及び共振モードの両方での使用に適しており、ゲート電荷量も小さく、非常に丈夫です。 これらのデバイスには高速真性ダイオードが搭載されており、定格が最大1100 V及び70 Aの各種絶縁タイプなど、さまざまな業界標準パッケージが用意されています。 主な用途には、DC-DCコンバータ、バッテリ充電器、スイッチモード及び共振モード電源、DCチョッパ、温度制御及び照明制御などがあります。
高速真性整流器
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
低RDS (オン)及びQG (ゲート電荷量)
低真性ゲート抵抗
産業用の標準パッケージ
低パッケージインダクタンス
高電力密度
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MOSFETトランジスタ、IXYS
IXYSの先進のディスクリートパワーMOSFETデバイス製品
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 48 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 600 V |
| パッケージタイプ | TO-264 |
| シリーズ | HiperFET, Q3-Class |
| 実装タイプ | スルーホール |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 140 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最大ゲートしきい値電圧 | 6.5V |
| 最大パワー消費 | 1 kW |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -30 V, +30 V |
| トランジスタ素材 | Si |
| 幅 | 5.13mm |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 140 nC @ 10 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 長さ | 19.96mm |
| 高さ | 26.16mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
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