Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 5.8 A, 42 mΩ, 6.4 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

RS品番:: 165-6910
メーカー型番:: SI2366DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, Nチャンネル, 30 V, 5.8 A, 42 mΩ, 6.4 nC, 3ピン, パッケージ：SOT-23

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RS品番:: 165-6910
メーカー型番:: SI2366DS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

データシート

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	プロダクトタイプ	MOSFET
	チャンネルタイプ	N
	最大連続ドレイン電流Id	5.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	30V
	シリーズ	Si2366DS
	パッケージ型式	SOT-23
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	42mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	最大許容損失Pd	2.1W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	6.4nC
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	0.85V
	最大ゲートソース電圧Vgs	-20V, +20V
	動作温度 Max	150°C
	幅	1.4mm
	長さ	3.04mm
	規格 / 承認	RoHS
	高さ	1.02mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	プロダクトタイプ MOSFET
	チャンネルタイプ N
	最大連続ドレイン電流Id 5.8A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 30V
	シリーズ Si2366DS
	パッケージ型式 SOT-23
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 42mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	最大許容損失Pd 2.1W
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 6.4nC
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 0.85V
	最大ゲートソース電圧Vgs -20V, +20V
	動作温度 Max 150°C
	幅 1.4mm
	長さ 3.04mm
	規格 / 承認 RoHS
	高さ 1.02mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay Si2366DSシリーズ MOSFET、最大ドレインソース電圧30 V、最大連続ドレイン電流5.8 A - SI2366DS-T1-GE3

このMOSFETは、低電圧電子回路の表面実装スイッチング用に設計されたコンパクトなNチャンネル強化デバイスです。広い温度範囲で動作し、効率的な伝導と適度なスイッチングが求められる電力管理機能に適しています。このパッケージは、密集したアセンブリで使用する一般的なSOT-23フォームファクタです。

特長：

• 最大ドレイン電圧 30V により、低電圧電源スイッチングを実現
• 連続ドレイン電流5.8Aで持続的な電流処理を実現
• 42 mΩの低Rds(on)により、導通損失を低減
• 順方向電圧0.85Vにより、効率的な駆動条件をサポート
• 標準ゲート電荷6.4nCにより、制御されたスイッチングエネルギーを実現
• 熱制限用途向けの2.1Wの消費電力

用途

• USB配電および負荷スイッチングに最適
• DC-DCコンバータの出力段用途に最適
• バッテリ管理および充電回路に使用
• モータドライバのローサイドスイッチングに使用可能
• 家電製品のパワーレール保護に便利

自動組立にはどのようなパッケージが期待されますか?

標準的なピックアンドプレースおよびリフロープロセスに対応するSOT-23表面実装パッケージで提供されます。

過酷な熱環境に対してどの程度の耐性を発揮しますか?

定格動作温度は-55°C～150°Cで、幅広い周囲温度および高いジャンクション温度に対応します。

許容されるゲートドライブの振幅は?

このデバイスは、ゲートとソース間で最大±20 Vを受け入れ、この制限内で幅広い駆動電圧を実現します。

基板フットプリントルーティング用のピン数はどれくらいですか?

小信号MOSFETに特徴的な3ピン構成を採用し、フットプリントレイアウトとルーティングを簡素化します。