Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 5.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2365EDS-T1-GE3
- RS品番:
- 812-3139
- メーカー型番:
- SI2365EDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
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- RS品番:
- 812-3139
- メーカー型番:
- SI2365EDS-T1-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
仕様
データシート
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詳細情報
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すべて選択 | 製品情報 | 内容 |
|---|---|---|
| ブランド | Vishay | |
| チャンネルタイプ | タイプP | |
| プロダクトタイプ | MOSFET | |
| 最大連続ドレイン電流Id | 5.9A | |
| 最大ドレイン-ソース間電圧Vds | 20V | |
| シリーズ | TrenchFET | |
| パッケージ型式 | SOT-23 | |
| 取付タイプ | 表面 | |
| ピン数 | 3 | |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗Rds | 0.0675Ω | |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 | |
| 標準ゲートチャージ Qg @ Vgs | 13.8nC | |
| 最大許容損失Pd | 1.7W | |
| 順方向電圧 Vf | -0.8V | |
| 動作温度 Min | -50°C | |
| 動作温度 Max | 150°C | |
| 長さ | 3.04mm | |
| 高さ | 1.02mm | |
| 規格 / 承認 | RoHS | |
| 自動車規格 | なし | |
| すべて選択 | ||
|---|---|---|
ブランド Vishay | ||
チャンネルタイプ タイプP | ||
プロダクトタイプ MOSFET | ||
最大連続ドレイン電流Id 5.9A | ||
最大ドレイン-ソース間電圧Vds 20V | ||
シリーズ TrenchFET | ||
パッケージ型式 SOT-23 | ||
取付タイプ 表面 | ||
ピン数 3 | ||
最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 0.0675Ω | ||
チャンネルモード エンハンスメント型 | ||
標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 13.8nC | ||
最大許容損失Pd 1.7W | ||
順方向電圧 Vf -0.8V | ||
動作温度 Min -50°C | ||
動作温度 Max 150°C | ||
長さ 3.04mm | ||
高さ 1.02mm | ||
規格 / 承認 RoHS | ||
自動車規格 なし | ||
- COO（原産国）:
- CN
PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
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