Vishay MOSFET, タイプPチャンネル 20 V, 5.9 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージSOT-23, SI2365EDS-T1-GE3

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梱包形態
RS品番:
812-3139
メーカー型番:
SI2365EDS-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

チャンネルタイプ

タイプP

プロダクトタイプ

MOSFET

最大連続ドレイン電流Id

5.9A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

20V

パッケージ型式

SOT-23

シリーズ

TrenchFET

取付タイプ

表面

ピン数

3

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

0.0675Ω

チャンネルモード

エンハンスメント型

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

13.8nC

順方向電圧 Vf

-0.8V

動作温度 Min

-50°C

最大ゲートソース電圧Vgs

8 V

最大許容損失Pd

1.7W

動作温度 Max

150°C

規格 / 承認

RoHS

長さ

3.04mm

高さ

1.02mm

幅

1.4 mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

PチャンネルMOSFET、8 → 20 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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