Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 40 V, 23 A エンハンスメント型, 表面, 8-Pin パッケージSO-8

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RS品番:
165-7266
メーカー型番:
SIR418DP-T1-GE3
メーカー/ブランド名:
Vishay
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ブランド

Vishay

プロダクトタイプ

MOSFET

チャンネルタイプ

タイプN

最大連続ドレイン電流Id

23A

最大ドレイン-ソース間電圧Vds

40V

シリーズ

SiR418DP

パッケージ型式

SO-8

取付タイプ

表面

ピン数

8

最大ドレイン-ソース間抵抗Rds

6mΩ

チャンネルモード

エンハンスメント型

最大ゲートソース電圧Vgs

20 V

最大許容損失Pd

39W

動作温度 Min

-55°C

標準ゲートチャージ Qg @ Vgs

50nC

順方向電圧 Vf

0.71V

動作温度 Max

150°C

長さ

6.25mm

規格 / 承認

No

幅

5.26 mm

高さ

1.12mm

自動車規格

なし

COO（原産国）:
CN

NチャンネルMOSFET、30 → 50 V、Vishay Semiconductor


MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor


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