型番

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 8.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF634S-GE3

RS品番:: 815-2632
メーカー型番:: SIHF634S-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 8.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF634S-GE3

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RS品番:: 815-2632
メーカー型番:: SIHF634S-GE3
メーカー/ブランド名:: Vishay

仕様

データシート

その他

詳細情報

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すべて選択	製品情報	内容
	ブランド	Vishay
	チャンネルタイプ	タイプN
	プロダクトタイプ	MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id	8.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds	250V
	パッケージ型式	TO-263
	シリーズ	SiHF634S
	取付タイプ	表面
	ピン数	3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds	450mΩ
	チャンネルモード	エンハンスメント型
	動作温度 Min	-55°C
	順方向電圧 Vf	2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs	41nC
	最大許容損失Pd	74W
	最大ゲートソース電圧Vgs	20 V
	動作温度 Max	150°C
	長さ	10.67mm
	規格 / 承認	No
	高さ	4.83mm
	幅	9.65 mm
	自動車規格	なし

	すべて選択
	ブランド Vishay
	チャンネルタイプタイプN
	プロダクトタイプ MOSFET
	最大連続ドレイン電流Id 8.1A
	最大ドレイン-ソース間電圧Vds 250V
	パッケージ型式 TO-263
	シリーズ SiHF634S
	取付タイプ表面
	ピン数 3
	最大ドレイン-ソース間抵抗Rds 450mΩ
	チャンネルモードエンハンスメント型
	動作温度 Min -55°C
	順方向電圧 Vf 2V
	標準ゲートチャージ Qg @ Vgs 41nC
	最大許容損失Pd 74W
	最大ゲートソース電圧Vgs 20 V
	動作温度 Max 150°C
	長さ 10.67mm
	規格 / 承認 No
	高さ 4.83mm
	幅 9.65 mm
	自動車規格なし

COO（原産国）:: CN

Vishay MOSFET, タイプNチャンネル 250 V, 8.1 A エンハンスメント型, 表面, 3-Pin パッケージTO-263, SIHF634S-GE3

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NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor

MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor

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