Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 5.2 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- RS品番:
- 815-2629
- メーカー型番:
- SIHF620S-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
一時的な在庫切れ - 2024/09/16に入荷し、その後4営業日でお届け予定
単価： 購入単位は10個
￥180.40
(税抜)
￥198.44
(税込)
| 個 | 単価 | 購入単位毎合計* |
| 10 - 10 | ￥180.40 | ￥1,804.00 |
| 20 + | ￥178.60 | ￥1,786.00 |
| * 購入単位ごとの価格 | ||
- RS品番:
- 815-2629
- メーカー型番:
- SIHF620S-GE3
- メーカー/ブランド名:
- Vishay
その他
- COO（原産国）:
- CN
詳細情報
NチャンネルMOSFET、200 → 250 V、Vishay Semiconductor
受注確定後にお客様専用製品として商品化されるため、発注後のキャンセル・返品はお受けできません。
MOSFETトランジスタ、Vishay Semiconductor
仕様
特性 | |
|---|---|
| チャンネルタイプ | N |
| 最大連続ドレイン電流 | 5.2 A |
| 最大ドレイン-ソース間電圧 | 200 V |
| パッケージタイプ | D2PAK (TO-263) |
| 実装タイプ | 表面実装 |
| ピン数 | 3 |
| 最大ドレイン-ソース間抵抗 | 800 mΩ |
| チャンネルモード | エンハンスメント型 |
| 最低ゲートしきい値電圧 | 2V |
| 最大パワー消費 | 50 W |
| トランジスタ構成 | シングル |
| 最大ゲート-ソース間電圧 | -20 V, +20 V |
| 動作温度 Max | +150 °C |
| 1チップ当たりのエレメント数 | 1 |
| 長さ | 10.67mm |
| 標準ゲートチャージ @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| 幅 | 9.65mm |
| トランジスタ素材 | Si |
| 高さ | 4.83mm |
| 動作温度 Min | -55 °C |
関連ページ
- Vishay Nチャンネル MOSFET250 V 8.1 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 2 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET500 V 8.1 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET200 V 9 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Nチャンネル MOSFET100 V 14 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET200 V 4 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET60 V 4.7 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン
- Vishay Pチャンネル MOSFET100 V 13 A 表面実装 パッケージD2PAK (TO-263) 3 ピン